模块十单元测试
- 半导体制造中使用的金属包括（ ）。
- 铝已被选择作为微芯片互连金属的原因包括（ ）。
- 解决电迁徙现象的方法包括（ ）。
- 互联金属转向铜时所面临的三大主要挑战包括（ ）。
- 引入铜金属化的原因包括（ ）。
A:钨 B:阻挡层金属 C:硅化物 D:铝 E:铜 F:铝铜合金
答案:钨###阻挡层金属###硅化物###铝###铜###铝铜合金
A:铝价格低廉 B:较低的电阻率 C:工艺兼容性 D:铝膜与下层衬底（通常是硅、二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性
A:用硅-铝合金或难熔金属硅化物代替纯铝 B:覆盖介质膜法 C:采用以合金为基的多层金属化层 D:合理进行电路版图设计及热设计,尽可能增加条宽,降低电流密度 E:严格控制工艺,加强镜检,减少膜损伤,增大铝晶粒尺寸
A:在小于200℃低温的空气中，铜很快被氧化，而且这一层氧化膜不会阻止铜进一步氧化 B:铜的熔点低 C:铜很难被刻蚀 D:铜在氧化硅和硅中的扩散率很高
A:良好的抗电迁徙性能 B:更少的工艺步骤 C:与AL工艺兼容 D:更低的电阻率 E:更高的互连线集成密度 F:减少了功率
温馨提示支付 ￥3.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
