模块五单元测试
- 二氧化硅膜在集成电路工艺中的作用包括？（ ）。
- 氧化工艺包括哪些？（ ）。
- 影响二氧化硅氧化速度的因素有哪些？（ ）。
- 掺氯氧化中氯元素有何作用？（ ）。
- 进行氢氧合成时，应注意：氢氧合成时，最关键的参数是要严格保证合成时氢气和氧气的比例配方，合成时，按照氢气和氧气的质量比为2:1的比例通入，若氧气含量过大，会导致反应时系统发生爆炸。（ ）
A:MOS器件中的栅极材料 B:电极引线和器件之间的绝缘 C:电容器的介质材料 D:掩蔽作用 E:保护和钝化作用 F:隔离作用
答案:MOS器件中的栅极材料###电极引线和器件之间的绝缘###电容器的介质材料###掩蔽作用###保护和钝化作用###隔离作用
A:CVD B:湿氧氧化 C:水汽氧化 D:干氧氧化
A:氧化剂分压 B:温度 C:衬底表面势 D:氧化气氛
A:集中分布在SiO2 –Si界面附近的氯还能使迁移到这里来的钠离子的正电荷效应较弱并被掐住不动，从而使其丧失电活性和不稳定性 B:可吸收、提取硅中的有害杂质 C:可以减少钠离子的玷污 D:可以提高器件速度
A:错 B:对
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