模块八单元测试
- 在器件制造工艺中重掺杂埋层的作用是半导体材料的导电性强，减小串联电阻，集成电路中的各个电极均从上表面引出，外延层电阻率较大且路径较长。减小寄生pnp晶体管的影响。（ ）
- 欧姆接触是指金属与半导体之间的电压与电流的关系具有对称和线性关系，而且接触电阻尽可能低，不产生明显的附加阻抗。（ ）
- 形成欧姆接触的常用方法有扩散法：是在半导体中先扩散形成重掺杂区以获得N+N或P+P的结构，然后使金属与重掺杂的半导体区接触，形成欧姆接触。合金法：是利用合金工艺对金属互联线进行热处理，使金属与半导体界面形成一层合金层或化合物层，并通过这一层与表面重掺杂的半导体形成良好的欧姆接触。（ ）
- 集成电路制造中对金属薄膜的要求是（1）具有高的导电率和纯度， （2）与下层衬底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性， （3）与半导体材料连接时接触电阻低， （4）能够淀积出均匀而且没有“空洞”的薄膜，易于填充通孔， （5）易于光刻和刻蚀，容易制备出精细图形， （6）很好的耐腐蚀性， （7）在处理和应用过程中具有长期的稳定性。（ ）
- 结尖刺现象指的是由于硅在铝中的溶解度比较高，形成合金时，硅会从衬底向铝中溶解，这样就在接触区下层的硅中留下空洞，从而有可能发生尖刺效应。（ ）
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
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