模块三单元测试
  1. 净化间沾污有哪几类?( )。

  2. A:静电释放 B:颗粒 C:金属杂质 D:自然氧化层 E:有机物沾污
    答案:静电释放###颗粒###金属杂质###自然氧化层###有机物沾污
  3. 进行器件隔离的原因是在分立器件和集成电路中,其基本组成单元就是无源原件和有源器件,这些元器件按照一定的方式互连而具备一定的电学性能,并能完成一定的器件功能。所以制造在硅片表面的元器件之间必须是相互隔离的,即相互之间地绝缘的。( )

  4. A:对 B:错
  5. 绝缘物隔离有两种隔离技术是局部氧化隔离工艺, 浅槽隔离。( )

  6. A:错 B:对
  7. 局部氧化工艺指的是1.热生长一层薄的垫氧层,用来降低氮化物与硅之间的应力。2.淀积氮化物膜,作为氧化阻挡层。 3.刻蚀氮化硅,露出隔离区的硅。4.热氧化,氮化硅作为氧化阻挡层保护下面的硅不被氧化,隔离区的硅被氧化。5.去除氮化硅,露出器件区的硅表面,为制作器件做准备。( )

  8. A:错 B:对
  9. 器件隔离有哪些方法?( )。

  10. A:场氧隔离法 B:PN结隔离法 C:浅槽隔离法 D:多晶隔离

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