模块十测试1.半导体制造中使用的金属包括（ ）。
A:铝铜合金 B:阻挡层金属 C:铝 D:硅化物 E:铜 F:钨
答案:ABCDEF
2.铝已被选择作为微芯片互连金属的原因包括（ ）。
A:工艺兼容性 B:铝价格低廉 C:铝膜与下层衬底（通常是硅、二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性 D:较低的电阻率 3.解决电迁徙现象的方法包括（ ）。
A:用硅-铝合金或难熔金属硅化物代替纯铝 B:采用以合金为基的多层金属化层 C:合理进行电路版图设计及热设计,尽可能增加条宽,降低电流密度 D:覆盖介质膜法 E:严格控制工艺,加强镜检,减少膜损伤,增大铝晶粒尺寸 4.互联金属转向铜时所面临的三大主要挑战包括（ ）。
A:铜在氧化硅和硅中的扩散率很高 B:铜的熔点低 C:铜很难被刻蚀 D:在小于200℃低温的空气中，铜很快被氧化，而且这一层氧化膜不会阻止铜进一步氧化 5.引入铜金属化的原因包括（ ）。
A:良好的抗电迁徙性能 B:与AL工艺兼容 C:更少的工艺步骤 D:更高的互连线集成密度 E:减少了功率 F:更低的电阻率
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