集成电路制造工艺章节测试课后答案2024春

模块三测试

1.净化间沾污有哪几类？（ ）。
A:自然氧化层 B:静电释放 C:金属杂质 D:有机物沾污 E:颗粒
答案:ABCDE
2.进行器件隔离的原因是在分立器件和集成电路中，其基本组成单元就是无源原件和有源器件，这些元器件按照一定的方式互连而具备一定的电学性能，并能完成一定的器件功能。所以制造在硅片表面的元器件之间必须是相互隔离的，即相互之间地绝缘的。（ ）
A:对 B:错 3.绝缘物隔离有两种隔离技术是局部氧化隔离工艺， 浅槽隔离。（ ）
A:对 B:错 4.局部氧化工艺指的是1.热生长一层薄的垫氧层，用来降低氮化物与硅之间的应力。2.淀积氮化物膜，作为氧化阻挡层。 3.刻蚀氮化硅，露出隔离区的硅。4.热氧化，氮化硅作为氧化阻挡层保护下面的硅不被氧化，隔离区的硅被氧化。5.去除氮化硅，露出器件区的硅表面，为制作器件做准备。（ ）
A:对 B:错 5.器件隔离有哪些方法？（ ）。
A:浅槽隔离法 B:多晶隔离 C:PN结隔离法 D:场氧隔离法