集成电路制造工艺章节测试课后答案2024春

模块六测试

1.干氧氧化的氧化过程及特点是干氧氧化的生长机理是：在高温下，当氧气与硅片接触时，氧分子与其表面的硅原子反应，生成二氧化硅起始层，其反应为： Si+O2 = SiO2，其特点是氧化速度慢，但氧化层饥质量结构致密。（ ）
A:对 B:错
答案:A
2.水汽氧化的氧化过程及特点是水汽氧化的生长机理是：在高温下，水汽与硅片表面的硅原子作用，生成二氧化硅起始层，其反应式如下：Si+2H2O = SiO2 +2H2O其后续氧化一般认为是水分子首先与表面的二氧化硅反应生成硅烷醇（Si-OH）结构。生成的硅烷醇再扩散穿透氧化层抵达SiO2- Si界面处，与硅原子反应生成SiO2。其特点是氧化速度快，但氧化层结构较为疏松。（ ）
A:错 B:对 3.可动离子沾污包括（ ）。
A:Li离子 B:Fe离子 C:Au离子 D:Na离子 4.列举淀积成膜的主要技术？（ ）。
A:化学气相淀积（cvd） B:物理气相淀积（pvd或溅射） C:电镀 D:旋涂法 E:蒸发 5.薄膜的6个特性有1.良好的台阶覆盖能力；2.填充高的深宽比间隙的能力；3.良好的厚度均匀性；4.高纯度和高密度；5.高度的结构完整性和低的膜应力；6.对衬底的材料或下层膜良好的粘附性。（ ）
A:对 B:错