集成电路制造工艺章节测试课后答案2024春

模块七测试

1.化学气相沉积是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术。（ ）
A:对 B:错
答案:A
2.CVD系统中热壁反应器和冷壁反应器的差别是热壁反应腔使用的加热方法是热电阻环绕着反应腔形成一个热壁反应器，不仅加热硅片，还加热硅片的支持物以及反应腔的侧壁。这种模式会在反应腔的侧壁上形成膜，因而要求经常清洗或者原位清除来减小颗粒沾污。冷壁反应腔只加热硅片和硅片支持物，反应腔的侧壁温度较低没有足够的能量发生淀积反应，在反应腔中可以采用如RF感应加热或者红外线加热方式。（ ）
A:对 B:错 3.APCVD， LPCVD的工艺特点是：LPCVD工艺温度一般控制在表面反应限制区,对反应剂浓度的均匀性要求不是非常严格,对温度要求严格。因此多采用热壁式反应器,衬底垂直放置,装载量大,更适合大批量生产,气体用量少,功耗低,降低了生产成本。颗粒污染现象也好于APCVD。（ ）
A:错 B:对 4.同步淀积和刻蚀技术：HDPCVD的一个突破创新之处就在于能在同一个反应腔中同步地进行淀积和刻蚀的工艺。具体来说，常见的HDPCVD 淀积工艺通常是通人反应气体来实现淀积的。而如果在反应腔中加入Ar离子，则在硅片上偏压的条件下会使Ar离子加速并轰击硅片，从而实现刻蚀功能，在淀积和刻蚀的同步作用下实现对高深宽比的间隙进行填充。（ ）
A:对 B:错 5.外延工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶向的单晶薄膜材料，单晶薄膜层称为外延层。（ ）
A:对 B:错