集成电路制造工艺章节测试课后答案2024春

模块九测试

1.电迁徙现象指的是在大电流密度的情形下，大量电子对金属原子的持续碰撞，会引起原子逐渐而缓慢的移动。（ ）
A:错 B:对
答案:B
2.钨填充塞被采用的原因是淀积钨最常用的是化学气相淀积（CVD）方法，CVD法的优点是台阶覆盖能力强，因而CVD钨具有均匀填充高深宽比通孔的能力。这也是钨被用于通孔填充材料的原因。（ ）
A:错 B:对 3.蒸发工艺的概念，并说明蒸发工艺的缺点是蒸发是指在真空系统中，经过加热使金属原子获得足够的能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子，淀积在晶片上。缺点：不能产生均匀的台阶覆盖，对淀积合金的限制。（ ）
A:错 B:对 4.溅射工艺，并说明溅射的工艺特点是溅射是利用高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子，被撞出的原子穿过真空最后淀积在硅片上。工艺特点：（1）溅射工艺适用于淀积合金，而且具有保持复杂合金原组分的能力，（2）能获得良好的台阶覆盖，（3）形成的薄膜与硅片表面的粘附性比蒸发工艺更好，（4）能够淀积难熔金属，（5）具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层。（ ）
A:错 B:对 5.形成欧姆接触的常用方法包括（ ）。
A:合金法 B:生长法 C:焊接法 D:扩散法